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DRAM內(nèi)存速度快、延遲低，但是掉電就會(huì)丟失數(shù)據(jù)，機(jī)械、固態(tài)存儲(chǔ)則正好相反，所以一直以來(lái)都是涇渭分明，而現(xiàn)在，有一種技術(shù)意欲通吃兩大領(lǐng)域，這就是Intel 3D XPoint。

這是一種基于電阻的非易失性內(nèi)存存儲(chǔ)方案，讀取延遲10納秒級(jí)別，使用壽命即全盤(pán)寫(xiě)入1000萬(wàn)次級(jí)別，均介于傳統(tǒng)DRAM、NAND之間。它的定位并不是取代DRAM和/或NAND，而是在它們之外的補(bǔ)充。

非易失性技術(shù)方案很多，Intel 3D XPoint是第一個(gè)完整成熟起來(lái)并快速投入商用化的。IDF 2015峰會(huì)上，Intel昨天已經(jīng)宣布了基于該技術(shù)的Optane固態(tài)硬盤(pán)，將會(huì)從今年底開(kāi)始陸續(xù)進(jìn)入數(shù)據(jù)中心和筆記本，提供M.2、U.2、PCI-E等多種規(guī)格，比傳統(tǒng)固態(tài)硬盤(pán)快足足5-7倍，更具體的規(guī)格將在稍后公布。

今天，Intel又宣布了同樣基于3D XPoint技術(shù)的DIMM內(nèi)存條，號(hào)稱(chēng)可比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本，而且接口和電氣特性兼容現(xiàn)有DDR4，可平滑過(guò)渡。

這也是歷史上第一次將非易失性技術(shù)應(yīng)用于系統(tǒng)主內(nèi)存。

3D XPoint DIMM內(nèi)存主要面向數(shù)據(jù)中心、大數(shù)據(jù)分析，具體發(fā)布時(shí)間未公布。

以后，我們的內(nèi)存、硬盤(pán)都可以是同一種介質(zhì)了。